什么是极紫外光刻（euvl）？ -技术百科的定义

定义-极端紫外线光刻（EUVL）是什么意思？

极紫外光刻（EUVL）是一种先进的高精度光刻技术，可制造具有足够小特性以支持10 GHz时钟速度的微芯片。

EUVL使用增压的氙气，氙气会发出紫外光，并使用非常精确的微镜将光聚焦到硅晶片上，以产生更细的特征宽度。

Techopedia解释了极紫外光刻技术（EUVL）

相反，EUVL技术使用紫外线光源和透镜来聚焦光。 由于镜片的限制，这不是很精确。

EUVL流程如下：

1. 激光对准氙气，将其加热产生等离子体。
2. 等离子体辐射13纳米的光。
3. 光在聚光器中聚集，然后导向到包含电路板布局的掩模上。 掩模实际上只是芯片单层的图形表示。 这是通过在反射镜的某些部分而不是其他部分上应用吸收剂并创建电路图案来创建的。
4. 掩模图案会反射到一系列的四到六个反射镜上，这些反射镜会逐渐变小，以便在将图像聚焦到硅晶圆之前缩小图像尺寸。 镜子会稍微弯曲光线以形成图像，就像照相机的一组镜头如何弯曲光线并将图像放置在胶片上一样。