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定义-铁电随机存取存储器（FRAM）是什么意思？
铁电随机存取存储器（FRAM，F-RAM或FeRAM）是一种非易失性存储器，类似于架构中的DRAM。 然而，它利用铁电层代替介电层以获得非挥发性。 铁电随机存取存储器被认为是非易失性随机存取存储器技术的一种潜在替代方案，具有与闪存相同的功能。
Techopedia解释了铁电随机存取存储器（FRAM）
尽管有名称，铁电随机存取存储器实际上并不包含任何铁。 它通常使用锆钛酸铅，尽管有时也使用其他材料。 尽管铁电RAM的发展可以追溯到半导体技术的早期，但第一批基于铁电RAM的设备是在1999年左右生产的。铁电RAM存储单元由位线以及连接到板上的电容器组成。 二进制值1或0是基于电容器中偶极子的方向存储的。 偶极子的方向可以在电压的帮助下设置和反转。
与更成熟的技术（例如闪存和DRAM）相比，铁电RAM的使用率不高。 铁电RAM有时会嵌入基于CMOS的芯片中，以帮助MCU拥有自己的铁电存储器。 这有助于减少将存储器合并到MCU中的步骤，从而节省大量成本。 与其他替代产品相比，它还具有功耗低的另一个优势，这对功耗一直是障碍的MCU很有帮助。
铁电RAM具有许多好处。 与闪存相比，它具有更低的功耗和更快的写入性能。 与类似技术相比，铁电RAM提供更多的写-擦除周期。 铁电RAM还具有更高的数据可靠性。
铁电RAM具有某些缺点。 与闪存设备相比，它的存储容量较低，而且价格昂贵。 与DRAM和SRAM相比，铁电RAM在同一空间中存储的数据更少。 另外，由于铁电RAM的破坏性读取过程，因此需要读取后写入架构。
铁电RAM用于许多应用，例如仪器仪表，医疗设备和工业微控制器。
