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定义-扩展数据输出随机存取存储器（EDO RAM）是什么意思？
扩展数据输出随机存取存储器（EDO RAM / DRAM）是一种早期类型的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，旨在提高1990年代使用的快速页面模式DRAM（FPM DRAM）的性能。 它的主要特点是它通过允许开始一个新的循环来消除等待时间，同时保留了前一个循环的数据输出缓冲区，从而允许一定程度的流水线化（操作重叠），从而提高了性能。
Techopedia解释了扩展数据输出随机存取存储器（EDO RAM）
1994年推出了扩展数据输出动态随机存取存储器，并在1995年英特尔首次推出支持EDO DRAM的430FX芯片组时开始取代快速页面模式DRAM。 在此之前，EDO DRAM可以替代FPM DRAM，但是如果存储控制器不是专门为EDO设计的，则性能仍与FPM相同。
单周期EDO DRAM能够在一个时钟周期内完成整个存储器事务，否则，一旦选择了页面，它可以在两个周期而不是三个周期内完成。 EDO的功能使其能够在当时取代PC的慢速L2缓存，并减少了与L2缓存相关的巨大性能损失，同时使PC的整体制造成本更低。 因此，与FPM和L2缓存组合相比，使用具有L2缓存的EDO的系统要快得多，而且构建成本也较低。
EDO的额定最大时钟速率为40 MHz，总线带宽为64位，峰值带宽为320 MBps，并以5伏电压运行。 实际上，它比仅具有25 MHz最大时钟速率和200 MBps峰值带宽的老式FPM DRAM快。 但是，在仅仅使用了两年之后，从1996年开始的更快的SDRAM取代了它。
