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定义-垂直金属氧化物半导体（VMOS）是什么意思？
垂直金属氧化物半导体（VMOS）是一种金属氧化物半导体（MOS）晶体管，因V形凹槽而得名，该凹槽在垂直方向切入基板以用作晶体管的栅极，从而可以传输从源极流向器件“漏极”的电流量更大。
垂直金属氧化物半导体也称为V槽MOS。
Techopedia解释了垂直金属氧化物半导体（VMOS）
垂直金属氧化物半导体是通过在硅中形成四个不同的扩散层，然后在整个中间层中以精确控制的深度垂直蚀刻中间的V形凹槽来构造的。 然后通过在沟槽中的二氧化硅上沉积通常是氮化镓（GaN）的金属，在V形沟槽内形成栅电极。
在引入更好的几何形状（例如UMOS或沟槽栅MOS）之前，VMOS一直主要用作“间隙”功率器件，这会在顶部产生较低的电场，从而导致最高电压高于采用VMOS可能产生的电压。 VMOS晶体管。
