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定义-电阻随机存取存储器（ReRAM）是什么意思？
电阻式随机存取存储器（RRAM / ReRAM）是一种新型的非易失性存储器。 许多公司正在开发它，并且一些公司已经为其自己的技术版本申请了专利。 存储器通过改变特殊的介电材料的电阻来工作，该介电材料称为忆阻器（内存电阻器），其阻值根据施加的电压而变化。
Techopedia解释了电阻式随机存取存储器（ReRAM）
RRAM是一种新型的电介质材料的结果，该材料不会永久损坏，并且在发生电介质击穿时会失效； 对于忆阻器，介电击穿是暂时的且可逆的。 当有意将电压施加到忆阻器上时，会在材料中创建称为细丝的微观导电路径。 细丝是由金属迁移甚至物理缺陷等现象引起的。 施加不同的外部电压可能会折断和反转细丝。 正是这种大量细丝的产生和破坏允许存储数字数据。 具有忆阻器特性的材料包括钛和镍的氧化物，某些电解质，半导体材料，甚至一些有机化合物也经过测试具有这些特性。
与其他非易失性技术相比，RRAM的主要优点是切换速度高。 由于忆阻器的薄型，与闪存相比，它具有很高的存储密度，更高的读写速度，更低的功耗和更便宜的成本的潜力。 由于材料的限制，闪存无法继续扩展，因此RRAM将很快取代闪存。
