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定义-动态随机存取存储器（DRAM）是什么意思？
动态随机存取存储器（DRAM）是一种在计算设备（主要是PC）中使用的随机存取存储器。 DRAM将数据的每个位存储在集成电路板内部的单独的无源电子组件中。 每个电气组件在一个称为0和1的位中都有两个值的状态。此捕获器需要经常刷新，否则信息会消失。 DRAM每位具有一个电容器和一个晶体管，而静态随机存取存储器（SRAM）则需要6个晶体管。 所使用的电容器和晶体管非常小。 单个存储芯片上装有数百万个电容器和晶体管。
Techopedia解释了动态随机存取存储器（DRAM）
DRAM是动态存储器，而SRAM是静态存储器。 电路板上的DRAM芯片需要每隔几毫秒刷新一次。 这是通过将数据重写到模块来完成的。 需要刷新的芯片是易失性存储器。 DRAM直接访问内存，在短时间内保存内存，并且在电源关闭时会丢失其数据。 SRAM是易失性存储器，它是静态的，不需要刷新。 因为SRAM快得多，所以它用于寄存器和高速缓存中。 SRAM保持数据并以比DRAM更高的速度执行。 尽管SRAM速度更快，但由于在制造上便宜得多，因此在主板上更常使用DRAM。
包含内存芯片的三种主要电路板类型是双列直插式内存模块（DIMM），单列直插式内存模块（SIMM）和Rambus列直插式内存模块（RIMM）。 今天，大多数主板都使用DIMM。 DRAM的模块刷新率是每几毫秒（1/1000秒）。 此刷新是通过位于主板芯片组上的内存控制器完成的。 由于刷新逻辑用于自动刷新，因此DRAM电路板非常复杂。 有不同的系统用于刷新，但是所有方法都需要一个计数器来跟踪接下来需要刷新的行。 DRAM单元以方形电容器组构成，通常为1024 x 1024单元。 当单元处于“读取”状态时，将读出整行并写回刷新。 当处于“写入”状态时，整行被“读出”，一个值被更改，然后整行被重写。 取决于系统，有些DRAM芯片包含一个计数器，而其他系统则依赖于包含计数器的外围刷新逻辑。 DRAM的访问时间约为60纳秒，而SRAM的访问时间可低至10纳秒。 同样，DRAM的循环时间比SRAM的循环时间长很多。 SRAM的循环时间较短，因为它不需要在访问和刷新之间停止。
