目录:
定义-Perfect RAM是什么意思？
Perfect RAM是一种非易失性随机存取存储器。 它通过更改所用材料的状态来存储数据。 硫属化物玻璃在经受由电流通过产生的热量时会在状态之间切换。 在微观层面上，数据在两种状态（非晶态和结晶态）之间来回变化。
完美RAM是竞争替代闪存的几种存储技术之一，这种技术存在许多问题。
该术语也称为PRAM，PCRAM，Ovonic统一存储器，硫族化物RAM，C-RAM和相变存储器（PCM）。
Techopedia解释了完美RAM
在非晶态（或无序相）下，材料具有高电阻。 在结晶状态（或有序相）下，其电阻较小。 因此，允许打开和关闭电流，电流代表与二进制代码的1和0值相对应的数字高和低状态。 最近的研究发现了另外两个状态，实际上使存储容量增加了一倍。
对于一块数据，闪存的写入时间约为一毫秒，比使用静态随机存取存储器（SRAM）的一个字节的典型10纳秒（ns）读取时间大100, 000倍。 当快速写入很重要时，完美的RAM可以提供更高的性能。 闪存随着电压突发而降低。 完美的RAM设备也会降级，但速度要慢得多。 这些设备可以承受大约1亿个写周期。 完美的RAM寿命受编程，金属迁移和未知机制期间的热膨胀限制。
完美RAM技术的一些挑战包括对高编程电流密度（电流的精确控制），长期电阻（对电流的持续电阻）和阈值电压漂移（对电压的精确控制）的要求-所有这些微观层面。 惠普，三星，意法半导体和Numonyx等都在研究这些挑战。
