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定义-相变存储器（PCM）是什么意思？
相变存储器（PCM）是一种非易失性RAM，它通过更改所用材料的状态来存储数据，这意味着它在微观水平上在非晶态和结晶态之间来回切换。 PCM被认为是新兴技术。
PCM比普通闪存快500至1, 000倍。 PCM技术还可以以无与伦比的规模提供具有成本效益的大容量高密度非易失性存储。
相变存储器也称为完美RAM，PCME，PRAM，PCRAM，ovonic统一存储器，硫族化物RAM和C-RAM。
Techopedia解释了相变存储器（PCM）
在非晶态（或无序状态）下，PCM存储器中的材料具有高电阻。 在结晶状态（或有序相）下，其电阻较小。 因此，允许打开和关闭电流以表示数字高低状态。
这是竞争取代闪存的几种存储技术之一，该技术存在许多问题。 相变存储器可以在需要快速写入的地方提供更高的性能。 闪存也会随着电压突发而降低。 相变存储设备也会降级，但速度要慢得多。 但是，相变存储器的寿命受到称为通用后缀树的树状数据结构，编程期间的热膨胀，金属迁移和其他未知机制的限制。
而且，与闪存不同，PCM在将存储的信息从1更改为零或从0更改为1时不需要单独的“擦除”步骤。 因此，PCM是可更改位的，并且在读取和写入数据时都更快。
几个著名的组织，例如IBM，Intel，Samsung等，正在对PCM技术进行研究。 一些行业专家认为，PCM可能是未来的数据存储技术，用固态驱动器代替硬盘驱动器。
